テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム
テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム 物理性質
- 融点 :
- 26-29 °C(lit.)
- 沸点 :
- 85°C/0.1mm
- 比重(密度) :
- 1.098 g/mL at 25 °C
- 闪点 :
- 109 °F
- 外見 :
- 結晶
- 色:
- 無色～淡黄色
- 比重:
- 1.40
- Hydrolytic Sensitivity:
- 8: reacts rapidly with moisture, water, protic solvents
- Sensitive :
- moisture sensitive, store cold
- InChIKey:
- ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N
- CAS データベース:
- 19782-68-4
安全性情報
- リスクと安全性に関する声明
- 危険有害性情報のコード(GHS)
| 絵表示（GHS） |
 
|
| 注意喚起語 |
危険 |
| 危険有害性情報 |
| コード |
危険有害性情報 |
危険有害性クラス |
区分 |
注意喚起語 |
シンボル |
P コード |
| H228 |
可燃性固体 |
可燃性固体 |
1
2 |
危険
警告 |
|
P210, P240,P241, P280, P370+P378 |
| H261 |
水に触れると可燃性/引火性ガスを発生 |
水反応可燃性化学品 |
2
3 |
危険
警告 |
|
P231+P232, P280, P370+P378,P402+P404, P501 |
| H314 |
重篤な皮膚の薬傷?眼の損傷 |
皮膚腐食性/刺激性 |
1A, B, C |
危険 |
|
P260,P264, P280, P301+P330+ P331,P303+P361+P353, P363, P304+P340,P310, P321, P305+ P351+P338, P405,P501 |
|
| 注意書き |
| P210 |
熱/火花/裸火/高温のもののような着火源から遠ざ けること。－禁煙。 |
| P231+P232 |
湿気を遮断し、不活性ガス下で取り扱うこと。 |
| P280 |
保護手袋/保護衣/保護眼鏡/保護面を着用するこ と。 |
| P305+P351+P338 |
眼に入った場合：水で数分間注意深く洗うこと。次にコ ンタクトレンズを着用していて容易に外せる場合は外す こと。その後も洗浄を続けること。 |
| P370+P378 |
火災の場合：消火に．．．を使用すること。 |
| P402+P404 |
乾燥した場所または密閉容器に保管するこ と。 |
|
テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム 価格
もっと(5)
| メーカー |
製品番号 |
製品説明 |
CAS番号 |
包装 |
価格 |
更新時間 |
購入 |
|
富士フイルム和光純薬株式会社(wako)
|
W01SRM72-8000 |
テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム
Tetrakis(dimethylamino)hafnium |
19782-68-4 |
1g |
￥57200 |
2024-03-01 |
購入 |
|
富士フイルム和光純薬株式会社(wako)
|
W01SRM72-8000 |
テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム
Tetrakis(dimethylamino)hafnium |
19782-68-4 |
5g |
￥150900 |
2024-03-01 |
購入 |
|
Sigma-Aldrich Japan
|
666610 |
テトラキス(ジメチルアミド)ハフニウム(IV) packaged for use in deposition systems
Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV) packaged for use in deposition systems |
19782-68-4 |
25g |
￥264000 |
2024-03-01 |
購入 |
|
Sigma-Aldrich Japan
|
455199 |
テトラキス(ジメチルアミド)ハフニウム(IV) ≥99.99%
Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV) ≥99.99% |
19782-68-4 |
25g |
￥170000 |
2024-03-01 |
購入 |
|
富士フイルム和光純薬株式会社(wako)
|
W01SRM72-8000 |
テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム
Tetrakis(dimethylamino)hafnium |
19782-68-4 |
25g |
￥450200 |
2024-03-01 |
購入 |
テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム 化学特性,用途語,生産方法
使用
Used as precursor for atomic layer deposition of Hafnium Oxide nanolaminates, which are used as a reploacement for Silicon oxide in semiconductor devices.
一般的な説明
Please inquire for bulk quantity, pricing, and packaging options.
テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム 上流と下流の製品情報
原材料
準備製品
テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム 生産企業
Global( 47)Suppliers
19782-68-4(テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム)キーワード:
- 19782-68-4
- Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV),TDMAH, Tetrakis(dimethylamino)hafnium(IV)
- TDMAH
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- Dimethylamine hafnium(4+) salt
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- Hafnium(4+) dimethylamide
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- Tetrakis(dimethylamino)hafnium, 98+% (99.99+%-Hf, <0.2% Zr) TDMAH
- TETRAKIS(DIMETHYLAMIDO)HAFNIUM(IV)
- (19962-11-9) hafnium tetradimethylamide
- Tetrakis(dimethylamino)hafnium, 98+% (99.99+%-Hf, <0.2%-Zr) TDMAH, PURATREM, 72-8000, contained in 50 ml Swagelok(R) cylinder (96-1070) for CVD/ALD
- Tetrakis(dimethylamino)hafnium, 98+% (99.99+%-Hf, <0.2%-Zr) TDMAH, PURATREM, 72-8000, contained in 50ml Swagelok(R) cylinder (96-1071) for CVD/ALD
- TDMAH: Hf(N(CH3)2)4
- 0.2% Zr) TDMAH, PURATREM
- Tetrakis(dimethylamino)hafnium, 98+% (99.99+%-Hf, <
- amido)hafnium(IV)
- TETRAKIS(DIMETHYLAMIDO)HAFNIUM(IV), ISO 9001：2015 REACH
- Tetrakis(dimethylamino)hafnium(TDMAHf)
- テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム
- テトラキス(ジメチルアミド)ハフニウム(IV)