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氮化硅、氮化镓或氧化铝膜的选择性蚀刻剂TRANSETCH — N
氮化硅、氮化镓或氧化铝膜的选择性蚀刻剂TRANSETCH — N
氮化硅、氮化镓或氧化铝膜的选择性蚀刻剂TRANSETCH — N
价格
询价
包装
1加仑
最小起订量
1加仑
发货地
山东
更新日期
2022-05-06
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产品详情
中文名称:
氮化硅、氮化镓或氧化铝膜的选择性蚀刻剂TRANSETCH — N
英文名称:
TRANSETCH — N
保存条件:
常温避光通风保存
产品类别:
蚀刻剂
2022-05-06
氮化硅、氮化镓或氧化铝膜的选择性蚀刻剂TRANSETCH — N
TRANSETCH — N
1加仑/RMB
常温避光通风保存
蚀刻剂
TRANSETCH — N
(氮化硅、氮化镓或氧化铝膜的选择性蚀刻剂)
新半导体技术中氮化硅
[Si
3
N
4
]、氮化镓[GaN]或氧化铝[Al
2
O
3
]膜的快速可控蚀刻。
独特的优点
·
使用方便
·
选择蚀刻氮化硅、氮化镓或氧化铝膜
·
可反复使用,作用不会随使用而减少
·
不产生毒性烟雾,不需要使用通风橱
·
实际上消除了上蚀或下蚀现象
·
保证硅半导体部件的平面钝化
说明
Transetch—
N是用正磷酸制备的纯试剂,它可以在硅或氧化硅存在下实现氮化硅或氧化铝的选择蚀刻。使用它在膜上蚀刻的开口其分辨率和普通平面技术对SiO
2
所得到的分辨率相当,但同时对暴露的硅和二氧化硅表面基本上没有不良影响。使用它时,对光刻胶、工艺的要求基本上和常惯蚀刻操作过程一样,额外要求很少,而且成本不高。
Transetch—
N不含氟化物。与氟化物基的蚀刻剂不同,TRANSETCH—N不造成下蚀现象,因此在选择蚀刻时间方面具有宽的安全活动余地。Transetch—N性质稳定,使用寿命长。
物理性质
液体无色、无味沸点(释水)180℃比重,20℃1.757蚀刻速率,180℃: 氧化铝120 Å/分氮化硅125 Å/分氮化镓80 Å/分二氧化硅1 Å/分硅1 Å/分
应用
TRANSETCH—
N用于以沉积Si
3
N
4
和Al
2
O
3
为基础的半导体部件的表面钝化新技术。这一新技术可以生产高质量的可靠的半导体产品,尤其有利于MOS和MIS装置的稳定化。实际上消除了逆温层和离子迁移:漏泄电流通路理论;表面状态得到很好控制。
指导意见
TRANSETCH—
N能很好应用于作为沉积膜的掩盖层的沉积SiO
2
的蚀刻层。当刚刚沉积了钝化膜之后,便能很方便地加上SiO
2
膜层。为此目的1000
Å的厚度通常便足够了。
用通常的工艺过程在光刻胶和沉积
SiO
2
上得到需蚀刻的开口路线的图案。然后用铬酸—硫酸涂膜消除剂去除光刻胶。将去除光刻胶并冲洗过的基片置于煮沸的
TRANSETCH—N液中一段时间,以便允许以每分钟100
Å的速率进行蚀刻过程。而后用冲洗掉所有残余的蚀刻液。这里需要注意的是,要将
TRANSETCH—
N的沸点稳定地保持在180℃。这就需要把其中水的蒸发量控制到最低。随时可以添加少量蒸馏水,以保证TRANSETCH—N液的沸点不超过180℃。
关键字:
氮化硅、氮化镓或氧化铝蚀刻剂 蚀刻液;
公司简介
美国Transene蚀刻剂(蚀刻液,腐蚀液)中国供应商。金蚀刻剂8148,TFA;钽蚀刻剂SIE—8607;铝蚀刻剂,A型; 银蚀刻剂TFS;钯蚀刻剂TFP;铬蚀刻剂1020;加HF改进的缓冲剂;BOE; Transene 超声洗涤剂TUD;镍蚀刻剂TFB;氮化钽蚀刻剂;钛蚀刻剂TFT;铜蚀刻剂;镍铬蚀刻剂TFC和TFN;TFM钼蚀刻和TFW钨蚀刻剂;半导体蚀刻剂;氧化锡/铟锡蚀刻剂TE100;
成立日期
2016-09-21
(9年)
注册资本
100.000000万
员工人数
10-50人
年营业额
¥ 100万以内
主营行业
化学试剂,医药中间体,合成材料中间体,其他中间体,液晶中间体
经营模式
贸易,工厂,试剂,定制,服务
烟台科瑞尔化学科技有限公司
非会员
公司成立:
9年
注册资本:
100.000000万
企业类型:
有限责任公司
主营产品:
吩嗪 酰胺类 等
公司地址:
山东省烟台市芝罘区海港路29号1506室
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范经理
电话:
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