IGCT 5SHY3545L0016 近年来，在新能源输送和大规模储能的驱动下，直流电网在世界各国的发展势不可挡。高压大容量功率半导体器件作为MMC、直流断路器、直流变压器、直流耗能装置等直流主干网络关键装备的核心元件，是学术研究的前沿话题，也是产业应用的关注热点。IGBT具有驱动功率小而且驱动电路简单、开关速度快、耐压高、电流大等优点，在柔性直流电网中得到了广泛的应用。而事实上，尽管IGBT优势突出，但是相比电流型器件，仍然存在通态压降大、可靠性低、制造成本高等问题，具有很多改进的空间。尤其是在高压大容量应用中，所使用的开关器件数量非常大，若能改进这些特性，进一步提高效率和可靠性、减小成本，将会具有很大的吸引力和应用前景。
5SHY3545L0016建立了高精度快速求解的GCT芯片物理机理模型，在秒级时间范围内完成开通、关断仿真，为IGCT的参数优化和性能调控奠定了理论基础；（2）提出了GCT芯片的参数优化及性能调控方法，降低了电流不均匀分布系数，关断能力得到较大幅度提升；（3）提出了GCT芯片的关键制备工艺优化方案和缺陷检测方法；（4）提出了GCT新型门极驱动方案，大幅提高IGCT器件在直流电网应用中的可靠性；（5）联合株洲中车时代电气股份有限公司成功研制了直流电网用4500V/5000A IGCT-Plus器件，开展了系统性测试验证，IGCT-Plus在安全性、可靠性、成本和效率等方面具有显著优势。经中国电机工程学会组织的科技成果鉴定，研制的器件具有完全自主知识产权，在机理模型、性能调控方法、门极驱动等方面达到国际领先水平。对于实现直流电网中的高可靠、低成本、高效率的电压和功率变换，推动高压大容量半导体器件及电力电子装备的自主化具有重大的战略意义。
ABB 5SHY3545L0016 可控硅IGCT模块3BHB019719R0101 GVC736BE101
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