四(二甲氨基)锡-电子级ALD/CVD前驱体源

目前，电子传输层主要采用的材料是SnO₂，而在少数情况下也会使用其它材料，如TiO₂等。2015年，Correa Baena团队首次使用ALD沉积SnO₂，加工温度为118℃。(Energy & Environmental Science 2015, 8: 2928-2934) 此后Lv团队设计了一种可低温应用的ALD技术，制备了无针孔的TiO₂作为ETL，电池效率可达18.3%。(Energy & Environmental Science 2020, 13: 1997–2023)。

由于沉积温度的限制，ALD制备SnO₂使用的前驱体目前大都是四二甲氨基锡(TDMASn)，其沉积温度可以低至80 ℃，并且表现出优异的电子传输性能和能级对准。南京大学谭海仁课题组设计了高效稳定的全钙钛矿叠层电池结构，用ALD生长了致密的SnO₂层，有效提高了叠层电池的稳定性。其制备的高效大面积全钙钛矿叠层PSC效率达到24.7%（如图3所示）。为了证明该设计可实现大面积的产业化应用，还制备了单个电池面积达12cm²的叠层电池，器件转换效率高达21.4%（如图3i所示），展示了该叠层器件结构和ALD制备技术具有良好的产业化前景。（Nat. Energy 2019, 4, 864–873）