加HF改进的缓冲剂,BUFFER HF IMPROVED
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加HF改进的缓冲剂

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发货地 山东
更新日期 2018-12-13

产品详情

中文名称:加HF改进的缓冲剂英文名称:BUFFER HF IMPROVED
保存条件: 常温通风避光保存产品类别: Transene 美国川思
2018-12-13 加HF改进的缓冲剂 BUFFER HF IMPROVED 4L/RMB;1L/RMB 常温通风避光保存 Transene 美国川思

本品为加有HFHF活度稳定的性能改进的缓冲剂,用于平面钝化、制作晶体管、集成电路、二极管、检波器、SCRMOSFET的半导体技术中选择溶解SiO2

 

独特的优点

 

·经济便宜,使用方便

·HF活度稳定

·良好的工艺重复性

·不会出现边下蚀被掩蔽的氧化物

·不扩散硅表面着色

·硅表面不污染

·光刻胶涂层不受影响

 

说明

缓冲剂-HF是一个理想的缓冲剂配方,其特点是缓冲指数高和蚀刻速率均匀合适。缓冲剂-HF的组成可通过HF活度和PH的测量得到精密控制。质量平衡对应于两配体单核络合物的HF+(F)+2(HF2),而变化平衡是(H+)-(F)+(HF2-)。HF的活度通过其特定平衡常数保持恒定不变,这便决定了氟化物、二氟化物和HF诸组分间的平衡反应。而第二平衡常数参与氢离子浓度的浓度调节。

缓冲剂-HF制备并经分析确定已基本完全去除了任何杂质。硝酸根离子是引起扩散硅表面着色的最常见的杂质,在这种缓冲剂中已特别加以排除。能引起装置质量降低的重金属杂质在生产过程中得到了严格控制。

 

缓冲剂-HF的性质

 

 

外观

澄清液体

硝酸盐

比重

1.12

缓冲蚀刻能力

65mg,SiO2/ml

PH

5.0

蚀刻速率,20℃

800 ? /

游离HF

105M

贮存

室温保存,在10℃以下会结晶析出

主要离子

HF2配体

重金属

0.5ppm

*蚀刻速率根据氧化硅膜结构而改变

 

缓冲剂-HF的使用

 

缓冲剂-HF能深解在硅表面上制出的并在光印刷术中暴光的二氧化硅膜(热生长和硅烷SiO2)。它还能溶解半导体加工过程形成的磷二氧化硅和硼二氧化硅玻璃中的掺杂二氧化硅膜,总化学反应式为:4HF+SiO2 → SiF4+2H2O  建议在制作半导体平面和台面型二极管装置的新技术中使用缓冲剂-HF,操作安全无误,它与阴,阳性光刻胶都相匹配。易于得到重现性良好的结果,不会出现边下蚀被掩蔽的氧化物、表面着色和重金属造成质量降级等现象。

指导意见

大多数实际氧化物钝化层厚度范围是2000 ?到5000 ?,将其在室温下于缓冲剂-HF液中浸泡2-5分钟都会得到良好的结果,必要时接触时间可适当增减。操作完毕,应当用去离子水将缓冲剂-HF冲洗掉。缓冲剂-HF的缓冲指数高,因此在固定接触时间条件下反复使用。为了增快蚀刻速率(约2X),可以在35℃的温度使用缓冲剂-HF。

 

 
关键字: Transene;美国川思;缓冲剂;HF改进

公司简介

青岛凯莫思生化科技有限公司是一家集化学试剂、仪器耗材、电子化学品等产品产销于一体的综合经销商。产品主要涵盖无机、有机和金属有机化合物,纯金属和元素,贵金属化合物和催化剂;玻璃仪器、科学仪器、实验室家具等仪器耗材;半导体微型电子产品、薄膜和厚膜混合体、微型电子线路、电子构件等电子化学品在内的上万种产品。能够为医药,生物科技,工业,教育,政府机构以及健康产业等不同行业客户的实验室以及工厂提供产品、服务和解决方案;可以满足科研人员进行各类研究和开发工作。 公司目前在中国、美国都设有仓储基地。中国仓储基地位于中国天津经济技术开发区,现拥有大型甲级化学品仓库和乙级化学品仓库,能够满足微量、大宗等产品的存储、分装、周转以及定制合成。美国仓储基地位于美国新罕布夏州的哈德逊。 公司目前化学试剂产品的库存就超过了10000种,生产和销售的仪器耗材类产品总数超过55000种。公司生产的电子化学产品被广泛应用于国内外半导体微型电子产品、薄膜和厚膜混合体、微型电子线路、电子构件和其他电子产品的研发和实验中。除此之外,依托于国内外先进的试验机构和实验室资源,我们在定制合成方面拥有丰富的经验和资源,可以根据客户需求
成立日期 2016-09-21 (8年) 注册资本 100万
员工人数 1-10人 年营业额 ¥ 100万以内
主营行业 经营模式 贸易,试剂,定制,服务
  • 青岛凯莫思生化科技有限公司
非会员
  • 公司成立:8年
  • 注册资本:100万
  • 企业类型:贸易
  • 主营产品:电子化学品 化学试剂
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