砷化镓

砷化镓(GaAs)
1,物理性质：
分子量:144.6446
CAS号:1303-00-0
熔点:1238℃
密度:5.37g/cm3
外观:黑灰色固体
晶格常数：5.65×10-10m
禁带宽度：1.4电子伏
2，合成工艺：高纯的砷与高纯镓真空熔炼，后续处理后再进行区熔；
3，纯度：6N(99.9999%)
3，检测：GDMS（所有的杂质元素低于1ppm),XRD;
4, 包装：三层真空包装或充氩气保护；
5，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
6，应用：集成电路衬底，红外探测器，γ光子探测器，砷化镓太阳能电池；

砷化镓(GaAs)
1,物理性质：
分子量:144.6446
CAS号:1303-00-0
熔点:1238℃
密度:5.37g/cm3
外观:黑灰色固体
晶格常数：5.65×10-10m
禁带宽度：1.4电子伏
2，合成工艺：高纯的砷与高纯镓真空熔炼，后续处理后再进行区熔；
3，纯度：6N(99.9999%)
3，检测：GDMS（所有的杂质元素低于1ppm),XRD;
4, 包装：三层真空包装或充氩气保护；
5，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
6，应用：集成电路衬底，红外探测器，γ光子探测器，砷化镓太阳能电池；

 

公司12年来共研制开发出40余项半导体化合物材料： 碲系化合物： 碲化铜(CuTe)，碲化铟( InTe)，碲化锌(ZnTe)，P/N三碲化二铋(Bi2Te3)，二氧化碲(TeO2)... 硫系化合物： 三硫化二镓(Ga2S3)，二硫化锗(GeS2)，硫化锌(ZnS)，硫化锡(SnS)，三硫化二铟(In2S3)，硫化亚铜（Cu2S）... 无氧硒及硒系化合物: 三硒化二镓(Ga2Se3)，硒化亚铜(Cu2Se)，三硒化二铟(In2Se3)，硒化锌(ZnSe)，硒化铋(Bi2Se3)... 氯系化合物： 无水三氯化铟(InCl3)，无水三氯化镓(GaCl3)，无水氯化亚铟(InCl)... 氧系化合物： 4N-5N三氧化二镓(Ga2O3)，4N-5N氧化锌(ZnO)，5N-6N 三氧化二铟(In2O3)，5N 三氧化二铋(Bi2O3)，4N-5N 三氧化二锑（Sb2O3）... 铜铟镓硒（CIGS