锑化铟

锑化铟（InSb）单晶

 

• 工艺：提拉法生长锑化铟单晶；
• 纯度：6N(99.9999%) ；

3，检验： GDMS（所有的杂质元素总和低于1ppm）；XRD；电阻测试；

• 规格：单晶棒，圆片，晶圆，厚度可做到0.3mm;
• 掺杂：碲或锗；
• 服务：提供MSDS及实用的防护措施；提供材料应用解决方案；提供免费样品；

         提供电子迁移率，载流子浓度等检测报告；

6，用途：红外探测器件，锑化铟磁阻传感器；

公司12年来共研制开发出40余项半导体化合物材料： 碲系化合物： 碲化铜(CuTe)，碲化铟( InTe)，碲化锌(ZnTe)，P/N三碲化二铋(Bi2Te3)，二氧化碲(TeO2)... 硫系化合物： 三硫化二镓(Ga2S3)，二硫化锗(GeS2)，硫化锌(ZnS)，硫化锡(SnS)，三硫化二铟(In2S3)，硫化亚铜（Cu2S）... 无氧硒及硒系化合物: 三硒化二镓(Ga2Se3)，硒化亚铜(Cu2Se)，三硒化二铟(In2Se3)，硒化锌(ZnSe)，硒化铋(Bi2Se3)... 氯系化合物： 无水三氯化铟(InCl3)，无水三氯化镓(GaCl3)，无水氯化亚铟(InCl)... 氧系化合物： 4N-5N三氧化二镓(Ga2O3)，4N-5N氧化锌(ZnO)，5N-6N 三氧化二铟(In2O3)，5N 三氧化二铋(Bi2O3)，4N-5N 三氧化二锑（Sb2O3）... 铜铟镓硒（CIGS