ホスフィニジンインジウム(III)

ホスフィニジンインジウム(III) 化学構造式
22398-80-7
CAS番号.
22398-80-7
化学名:
ホスフィニジンインジウム(III)
别名:
リン化インジウム(III);ホスフィントリイルインジウム(III);ホスフィニジンインジウム(III);りん化インジウム;りん化インジウム(Ⅲ);りん化インジウム(III) (99.999%-In) PURATREM
英語名:
INDIUM PHOSPHIDE
英語别名:
InP;polycrystallinelump;indiummonophosphide;Indiumphsophidewafer;Indium monophosphide;INDIUM(III) PHOSPHIDE;INDIUM PHOSPHIDE LUMP;Indium phosphide wafer;Indium phosphide (InP);indiganylidynephosphane
CBNumber:
CB2364603
化学式:
InP
分子量:
145.79
MOL File:
22398-80-7.mol
MSDS File:
SDS

ホスフィニジンインジウム(III) 物理性質

融点 :
1070°C
比重(密度) :
4,787 g/cm3
溶解性:
slightly soluble in acid solutions
外見 :
ピース
色:
水溶解度 :
水に不溶。
Crystal Structure:
Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
Merck :
14,4953
暴露限界値:
ACGIH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: TWA 0.1 mg/m3
CAS データベース:
22398-80-7(CAS DataBase Reference)
IARC:
2A (Vol. 86) 2006
EPAの化学物質情報:
Indium phosphide (InP) (22398-80-7)
安全性情報
  • リスクと安全性に関する声明
  • 危険有害性情報のコード(GHS)
主な危険性  T
Sフレーズ  24/25-45-53
RIDADR  3288
WGK Germany  3
RTECS 番号 NL1800000
TSCA  Yes
有毒物質データの 22398-80-7(Hazardous Substances Data)
毒性 mouse,LD,intraperitoneal,> 5gm/kg (5000mg/kg),ENDOCRINE: CHANGES IN SPLEEN WEIGHTLUNGS, THORAX, OR RESPIRATION: CHANGES IN LUNG WEIGHTBLOOD: "CHANGES IN SERUM COMPOSITION (E.G., TP, BILIRUBIN, CHOLESTEROL)",Journal of Occupational Health. Vol. 38, Pg. 6, 1996.
化審法 新規公示化学物質(2011年3月31日以前届出)
絵表示(GHS) GHS hazard pictograms
注意喚起語 危険
危険有害性情報
コード 危険有害性情報 危険有害性クラス 区分 注意喚起語 シンボル P コード
H350 発がんのおそれ 発がん性 1A, 1B 危険 GHS hazard pictograms
H361 生殖能または胎児への悪影響のおそれの疑い 生殖毒性 2 警告 P201, P202, P281, P308+P313, P405,P501
H372 長期にわたる、または反復暴露により臓器の障 害 特定標的臓器有害性、単回暴露 1 危険 GHS hazard pictograms P260, P264, P270, P314, P501
注意書き
P201 使用前に取扱説明書を入手すること。
P308+P313 暴露または暴露の懸念がある場合:医師の診断/手当てを 受けること。

ホスフィニジンインジウム(III) 価格 もっと(6)

メーカー 製品番号 製品説明 CAS番号 包装 価格 更新時間 購入
富士フイルム和光純薬株式会社(wako) W01AFAA15509 りん化インジウム
Indium Phosphide, Polycrystalline Lump
22398-80-7 1g ¥22370 2024-03-01 購入
富士フイルム和光純薬株式会社(wako) W01AFAA15509 りん化インジウム
Indium Phosphide, Polycrystalline Lump
22398-80-7 5g ¥85170 2024-03-01 購入
Sigma-Aldrich Japan 366870 リン化インジウム(III) pieces, 3-20?mesh, 99.998% trace metals basis
Indium(III) phosphide pieces, 3-20?mesh, 99.998% trace metals basis
22398-80-7 1g ¥31100 2024-03-01 購入
富士フイルム和光純薬株式会社(wako) W01SRM93-4926 りん化インジウム(III) (99.999%-In) PURATREM
Indium(III) phosphide (99.999%-In) PURATREM
22398-80-7 1g ¥95900 2024-03-01 購入
富士フイルム和光純薬株式会社(wako) W01SRM93-4926 りん化インジウム(III) (99.999%-In) PURATREM
Indium(III) phosphide (99.999%-In) PURATREM
22398-80-7 5g ¥381000 2024-03-01 購入

ホスフィニジンインジウム(III) 化学特性,用途語,生産方法

解説

リン化インジウム.インジウムリンともいう.Inとリンとを,封管中または不活性気体や H2 中で加熱反応させるか,InとPCl3またはP2O5を高温に加熱するか,In2O3またはIn2(C2O4)3とPH3を高温で反応させると得られる.金属光沢のある無色~灰色の立方晶系結晶.せん亜鉛鉱型構造.融点1070 ℃.比誘電率10.8.Ⅲ-Ⅴ半導体で,バンドギャップ1.28 eV(330 K).空気中で安定である.水や無機酸に侵されにくい.アルカリ水溶液と加熱すると,ホスフィンを発生して分解する.半導体レーザー,発光ダイオード,IC材,太陽電池の素子などに用いられる.ヒ化ガリウムより電子の走行速度が高く,電界効果トランジスタや,インジウム,ガリウム,ヒ素,リン四元の半導体によるレーザーを成長するための基板に適していることなどから,近年注目されている半導体である。結晶の作製がむずかしく,その良質化が望まれている。インジウム・リンとも呼ばれる。

化学的特性

black crystal(s); 6mm pieces and smaller with 99.999% purity; semiconductor; band gap, eV, 1.42 (0K) and 1.35 (300K); mobility (300K), cm2/(V·s), 4600 electrons and 150 holes; dielectric constant 12.4; effective mass 0.077 electrons and 0.64 holes [KIR82] [CER91] [STR93]

使用

In electronics for research on semiconductors.

ホスフィニジンインジウム(III) 上流と下流の製品情報

原材料

準備製品


ホスフィニジンインジウム(III) 生産企業

Global( 99)Suppliers
名前 電話番号 電子メール 国籍 製品カタログ 優位度
career henan chemical co
+86-0371-86658258
sales@coreychem.com China 29914 58
Hubei Jusheng Technology Co.,Ltd.
18871490254
linda@hubeijusheng.com CHINA 28180 58
Chongqing Chemdad Co., Ltd
+86-023-6139-8061 +86-86-13650506873
sales@chemdad.com China 39916 58
Antai Fine Chemical Technology Co.,Limited
18503026267
info@antaichem.com CHINA 9641 58
Shaanxi Dideu Medichem Co. Ltd
+86-029-89586680 +86-18192503167
1026@dideu.com China 9126 58
Baoji Guokang Healthchem co.,ltd
+8615604608665 15604608665
dominicguo@gk-bio.com CHINA 9427 58
Dayang Chem (Hangzhou) Co.,Ltd.
571-88938639 +8617705817739
info@dycnchem.com CHINA 52861 58
changzhou huayang technology co., ltd
+8615250961469
2571773637@qq.com China 9821 58
ShanDong Look Chemical Co.,Ltd.
+8617653113219
sales01@sdlookchemical.com China 2739 58
Alfa Chemistry
+1-5166625404
Info@alfa-chemistry.com United States 21317 58

ホスフィニジンインジウム(III)  スペクトルデータ(Raman)


22398-80-7(ホスフィニジンインジウム(III))キーワード:


  • 22398-80-7
  • InP
  • INDIUM(III) PHOSPHIDE
  • Phosphinetriylindium(III)
  • Phosphinidyneindium(III)
  • Indium phosphide/ 99.999%
  • Indium phosphide (99.999%-In) PURATREM
  • Indium phosphide wafer
  • Indiumphosphidemetalsbasispiecesanddownblack
  • Indiumphosphidepolycrystallinelump
  • Indiumphsophidewafer
  • INDIUM(III) PHOSPHIDE, PIECES, 3-20 MESH , 99.998%
  • Indium phosphide, polycrystalline lump, 99.99%
  • polycrystallinelump
  • INDIUM PHOSPHIDE WAFER - 51MM DIA. X 0.35MM
  • INDIUM PHOSPHIDE LUMP
  • Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis)
  • Indium(III) phosphide, 99.999% (metals basis)
  • Indium(III) phosphide, 99.9999% (metals basis)
  • Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% trace metals basis
  • Indium monophosphide
  • Indium phosphide (InP)
  • indiummonophosphide
  • INDIUM(III)PHOSPHIDE(99.999%-IN)PURATREM
  • metel basisINDIUM PHOSPHIDE
  • INDIUM PHOSPHIDE ISO 9001:2015 REACH
  • Indium Phosphorous Nanoparticles
  • Indium phosphide (single crystal substrate), (100) ± 0.5o
  • indiganylidynephosphane
  • ZnS Quantum Dots-660 nm
  • Indium phosphide, 99.99%, lump, 1-10mm
  • リン化インジウム(III)
  • ホスフィントリイルインジウム(III)
  • ホスフィニジンインジウム(III)
  • りん化インジウム
  • りん化インジウム(Ⅲ)
  • りん化インジウム(III) (99.999%-In) PURATREM
Copyright 2017 © ChemicalBook. All rights reserved