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1312-43-2

中文名称 氧化铟
英文名称 Indium(III) oxide
CAS 1312-43-2
EINECS 编号 215-193-9
分子式 In2O3
MDL 编号 MFCD00011060
分子量 277.63
MOL 文件 1312-43-2.mol
更新日期 2024/12/23 13:33:35
1312-43-2 结构式 1312-43-2 结构式

基本信息

中文别名
三氧化二铟
氧化铟
氧化銦
氧化铟, PURATRONIC|R, 99.997% (METALS BASIS)
氧化铟, 99.995% (METALS BASIS)
氧化铟, 99.99% (METALS BASIS)
氧化铟, 99.9% (METALS BASIS)
氧化铟, 99.999% (METALS BASIS)
氧化铟, 聚合物前驱体, IN HEXANE, OXIDE ^=30 WT%
氧化铟, 掺锡, 聚合物前驱体, OXIDE ^=20 WT%
氧化铟, 99.5% MIN (METALS BASIS)
英文别名
diindium trioxide
INDIUM(+3)OXIDE
INDIUM(III) OXIDE
INDIUM SESQUIOXIDE
In2-O3
india
Indium oxide (In2O3)
Indium(II) oxide
indiumoxide(in2o3)
indiumtrioxide
INDIUM(III) OXIDE, NANOPOWDER, <50NM, 99.9% METALS BASIS
INDIUM(III) OXIDE, 99.99%
INDIUM(III) OXIDE, 99.999% METALS BASIS
Indium(Iii)Oxide99.999%
Indium(III) oxide, 99.9%
INDIUM OXIDE, 99.9%
INDIUM OXIDE, 99.99%
Indium (Ⅲ) oxide
Indium(III)oxide(99.999%-In)PURATREM
indium(iii) oxide, puratronic
所属类别
无机化工:稀土金属、钇或钪的氧化物

物理化学性质

外观性质白色至淡黄色粉末,热时呈红色。
外观性状氧化铟(亦称三氧化二铟,In2O3)为白色或黄色粉末,加热转变为红褐色。在氢气或其他还原剂存在下,加热至400~500℃可还原成金属铟或低价铟的氧化物。在高温下分解为低级氧化物。另外,在高温下可与金属铟发生反应,低温灼烧生成的In2O3虽易溶于酸,但经过高温处理得越完全就越难溶,吸湿性也消失了。三氧化二铟在赤热状态下用氢气还原时,则生成金属铟。它是一种不溶于水、像陶瓷的稳定材料。氧化铟是一种N型半导体(电子型半导体),因而可被用作集成电路的电阻元件。它还可以和p-InP、n-GaAs、n-Si及其他半导体形成异质结。
氧化铟
溶解性不溶于水,溶于热无机酸。
熔点2000°C
密度7.18 g/mL at 25 °C(lit.)
蒸气压<0.01 mm Hg ( 25 °C)
闪点13°(55°F)
储存条件no restrictions.
溶解度溶于己烷和甲苯。不溶于醇
形态nanopowder
比重7.179
颜色黄色
水溶解性Insoluble in water.
Merck14,4952
暴露限值ACGIH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: TWA 0.1 mg/m3
稳定性稳定的。不易燃。与酸不相容。
NIST化学物质信息indium(III) oxide(1312-43-2)

安全数据

危险性符号(GHS)GHS hazard pictogramsGHS hazard pictogramsGHS hazard pictograms
GHS02,GHS07,GHS08
警示词警告
危险品标志Xi
危险类别码R36/37/38
安全说明S26-S36
危险品运输编号UN1993
WGK Germany3
RTECS号NL1770000
TSCAYes
危险等级3
包装类别II
海关编码28259090

应用领域

用途一
用作光谱纯试剂和电子元件的材料等
用途二
主要用于作电池原材料 ,荧光屏,玻璃,陶瓷,化学试剂等。

制备方法

方法1
1. 将高纯金属铟在空气中燃烧或将碳酸铟煅烧生成In2O、InO、In2O3,精细控制还原条件可制得高纯In2O3。也可用喷雾燃烧工艺制得平均粒径为20nm的三氧化二铟陶瓷粉。
2. 将氢氧化铟灼烧制备三氧化二铟时,温度过高的话,In2O3有热分解的可能性,若温度过低则难以完全脱水,而且生成的氧化物具有吸湿性,因此,加热温度和时间是重要的因素。另外,因为In2O3容易被还原,所以必须经常保持在氧化气氛中。
3. 将氢氧化铟在空气中,于850℃灼烧至恒重,生成In2O3,再在空气中于1000℃加热30min。其他硝酸铟、碳酸铟、硫酸铟在空气中灼烧也可以制得三氧化二铟。

上下游产品信息

下游产品
聚噻吩

化学品安全说明书(MSDS)

1312-43-2(安全特性,毒性,储运)

储运特性
库房通风低温干燥
毒性分级
低毒
急性毒性
口服-大鼠LD: >10000 毫克/公斤; 口服-小鼠LDL0: 10000 毫克/公斤
类别
有毒物品
灭火剂
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水
职业标准
TWA 0.1 毫克(铟)/立方米

常见问题列表

半导体功能材料
三氧化二铟作为一种n型宽带隙透明半导体纳米材料,具有许多优异的性能,已经在许多领域得到应用,比如超灵敏气体传感器、太阳能电池、液晶显示和建筑玻璃加热材料等。未表面修饰的三氧化二铟纳米晶及表面修饰的三氧化二铟纳米晶和纳米花均具有强的荧光性能和可见光透过性能,在三氯甲烷、石油醚、水等不同介质中有良好的分散性,可用作生物荧光指示剂和玻璃透明涂料。
氧化铟价格(试剂级)
报价日期产品编号产品名称CAS号包装价格
2024/11/08045460氧化铟(III), 99.995% (metals basis)
Indium(III) oxide, 99.995% (metals basis)
1312-43-210g1419元
2024/11/08045460氧化铟(III), 99.995% (metals basis)
Indium(III) oxide, 99.995% (metals basis)
1312-43-250g7094元
2024/11/08042229氧化铟, 掺锡, 聚合物前驱体, Oxide≈20 wt%
Indium oxide, tin doped, polymeric precursor, Oxide ≈20 wt%
1312-43-210g7484元
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