タンタル(V)ペンタエトキシド
タンタル(V)ペンタエトキシド 物理性質
- 融点 :
- 21 °C(lit.)
- 沸点 :
- 155 °C0.01 mm Hg(lit.)
- 比重(密度) :
- 1.566 g/mL at 25 °C(lit.)
- 屈折率 :
- n20/D 1.487(lit.)
- 闪点 :
- 87 °F
- 貯蔵温度 :
- 2-8°C
- 溶解性:
- 有機溶剤に可溶。
- 外見 :
- 液体
- 比重:
- 1.56
- 水溶解度 :
- 水で分解します。有機溶剤に可溶。
- Hydrolytic Sensitivity:
- 8: reacts rapidly with moisture, water, protic solvents
- Sensitive :
- Moisture Sensitive/Air Sensitive
- BRN :
- 3678999
- CAS データベース:
- 6074-84-6(CAS DataBase Reference)
- EPAの化学物質情報:
- Ethanol, tantalum(5+) salt (6074-84-6)
安全性情報
- リスクと安全性に関する声明
- 危険有害性情報のコード(GHS)
絵表示(GHS) |
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注意喚起語 |
警告 |
危険有害性情報 |
コード |
危険有害性情報 |
危険有害性クラス |
区分 |
注意喚起語 |
シンボル |
P コード |
H226 |
引火性の液体および蒸気 |
引火性液体 |
3 |
警告 |
|
|
|
注意書き |
P210 |
熱/火花/裸火/高温のもののような着火源から遠ざ けること。-禁煙。 |
P233 |
容器を密閉しておくこと。 |
P240 |
容器を接地すること/アースをとること。 |
P241 |
防爆型の電気機器/換気装置/照明機器/...機器を使 用すること。 |
P242 |
火花を発生させない工具を使用すること。 |
P243 |
静電気放電に対する予防措置を講ずること。 |
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タンタル(V)ペンタエトキシド 価格
もっと(12)
メーカー |
製品番号 |
製品説明 |
CAS番号 |
包装 |
価格 |
更新時間 |
購入 |
富士フイルム和光純薬株式会社(wako)
|
W01AFAL16033 |
タンタル(V)エトキシド, optical grade, 99.95% (metal basis)
Tantalum(V) ethoxide, optical grade, 99.95% (metal basis) |
6074-84-6 |
1g |
¥9400 |
2024-03-01 |
購入 |
富士フイルム和光純薬株式会社(wako)
|
W01AFAL16033 |
タンタル(V)エトキシド, optical grade, 99.95% (metal basis)
Tantalum(V) ethoxide, optical grade, 99.95% (metal basis) |
6074-84-6 |
5g |
¥31680 |
2024-03-01 |
購入 |
Sigma-Aldrich Japan
|
760404 |
タンタル(V)エトキシド packaged for use in deposition systems
packaged for use in deposition systems |
6074-84-6 |
25G |
¥138000 |
2024-03-01 |
購入 |
Sigma-Aldrich Japan
|
339113 |
タンタル(V)エトキシド 99.98% trace metals basis
Tantalum(V) ethoxide 99.98% trace metals basis |
6074-84-6 |
10g |
¥28400 |
2024-03-01 |
購入 |
Sigma-Aldrich Japan
|
339113 |
タンタル(V)エトキシド 99.98% trace metals basis
Tantalum(V) ethoxide 99.98% trace metals basis |
6074-84-6 |
100g |
¥184000 |
2024-03-01 |
購入 |
タンタル(V)ペンタエトキシド 化学特性,用途語,生産方法
化学的特性
clear colorless to almost colorless liquid or
使用
Tantalum(V) ethoxide precursor is used to deposit ultra thin films of Tantalum oxide and other tantalum containing films by atomic layer deposition and chemical vapor deposition methods
一般的な説明
Tantalum(V) ethoxide Ta(OC
2H
5)
5 is a tantalum alkoxide that can be used as a precursor in the preparation of tantalum oxide by chemical vapor deposition (CVD). It has excellent volatility and thermal stability. It can be synthesized by anodic oxidation of tantalum plate in anhydrous ethanol.
純化方法
Purify it by distillation under reduced pressure. It aggregates in *C6H6,EtOH, MeCN, pyridine and diisopropyl ether. [Bradley et al. J Chem Soc 726 1955, Bradley et al. J Chem Soc 5 1956, Beilstein 1 IV 1312.]
タンタル(V)ペンタエトキシド 上流と下流の製品情報
原材料
準備製品
タンタル(V)ペンタエトキシド 生産企業
Global( 144)Suppliers
タンタル(V)ペンタエトキシド スペクトルデータ(1HNMR、FT-IR、IR)
6074-84-6(タンタル(V)ペンタエトキシド)キーワード:
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