三异丙基硅烷 (TIS) 是一种受阻氢硅烷，常被用作阳离子清除剂，用于在肽合成过程中去除氨基酸保护基团。本文将介绍它的其它用途，包括用于沉积薄膜以及合成二氮喹霉素。
沉积薄膜[1]
等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 工艺是一种使用等离子体激活的三异丙基硅烷 [TIPS, ((iPr)3SiH)] 前驱体进行 SiO2 薄膜生长的技术。三异丙基硅烷在工艺的前驱体注入阶段被氩等离子体激活。使用激活的TIPS，可以通过调节等离子体点火时间来控制沉积膜每个周期的生长速率。PEALD 技术允许在低至 50°C 的温度下沉积不含碳杂质的 SiO2 薄膜。此外，等离子点火时间为3秒和10秒获得的薄膜具有相似的均方根表面粗糙度值。为了评估TIPS作为SiO2薄膜低温沉积前驱体的适用性，测量了TIPS的蒸气压。通过分析 TIPS 傅里叶变换红外光谱中 C-H 和 Si-H 峰的强度变化，研究了气相三异丙基硅烷的热稳定性和对水蒸气的反应性。
合成二氮喹霉素
Allan M. Prior 和 Dianqing Sun[2]通过二胺与 Meldrum 酸衍生物的选择性酰胺化，随后 EDC 与 3-氧代丁酸偶联，实现了二氮喹霉素 H (1) 和 J (2) 的首次全合成，这两种化合物是有前景的抗结核天然产物先导物。在三异丙基硅烷 (TIPS) 存在下通过双克诺尔环化反应。作者发现，添加 三异丙基硅烷对于获得纯二氮喹霉素 H 和 J 至关重要，同时防止末端异支链尾部在硫酸中异构化。所开发的合成方法通过 8 个步骤从起始原料中获得了二氮喹霉素 H (1) 和 J (2)，总产率分别为 25% 和 21%。
参考文献
[1] Plasma-enhanced atomic layer deposition of silicon dioxide films using plasma-activated triisopropylsilane as a precursor. doi:10.1116/1.4871455
[2] Total synthesis of diazaquinomycins H and J using double Knorr cyclization in the presence of triisopropylsilane. doi:10.1039/C8RA09792E