二氟化氙
中文名称二氟化氙
中文同义词二氟化氙;四氟化氙
英文名称XENONDIFLUORIDE英文
同义词XENON(II)FLUORIDE;XENONDIFLUORIDE;XeF4;Xenonfluoride(XeF4);Xenonfluoride(XeF4),(T-4)-;xenontetrafluoride;XENONDIFLUORIDE,ELECTRONICGRADE;Tetrafluoroxenon
CAS号13709-61-0
分子式F2Xe
分子量169.29EINECS号237-260-1相关类别半导体制程材料;
电子化学品Mol
文件13709-61-0.mol
结构式二氟化氙性质熔点129°C(lit.)沸点115.73°C(estimate)密度4.32g/mLat25°C(lit.)蒸气压3.8mmHg(25°C)形态colorlessmonocliniccrystals水溶解性reactsviolentlywithH2O,formingXe,O2,HF,andXeO3[DOU83]二氟化氙用途与合成方法概述无色透明四方晶体。相对密度4.32(25/4℃),熔点129℃,固体蒸气压为4.6×133.322Pa(25℃)。蒸气也是无色的,有恶臭。易溶于无水氟化氢、氟化亚硝酰•三(氟化氢)和五氟化碘,但不发生电离。能被氢还原生成氙和氟化氢。与氟反应生成四氟化氙或六氟化氙。遇水则水解,过程很复杂。在日光直射下,氙与氟反应而制得。
用途制备一种二氟化氙气相刻蚀阻挡层,包括如下步骤:(1)将二氟化氙气体喷洒到裸露的阻挡层的表面;(2)采用光束仅照射电介质层上表面的阻挡层,使电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率高于沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的刻蚀速率。本发明通过向电介质层上表面的阻挡层照射光束,提高了电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率,使电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率高于沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的刻蚀速率,避免沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层过度刻蚀,提高了微观上的刻蚀均匀性,达到了更好的工艺效果。安全信息危险品标志O,T+危险类别码8-25-26-34安全说明17-26-28-36/37/39-45
危险品运输编号UN30875.1/PG2WGKGermany3RTECS号ZE1294166F1-10危险等级5.1包装类别IMSDS信息提供商语言SigmaAldrich英文ACROS英文ALFA中文ALFA英文二氟化氙
上下游产品信息
下游产品氟化铈
无锡开腾能源科技有限公司
联系商家时请提及chemicalbook,有助于交易顺利完成!