氮化镓

氮化镓性质、用途与生产工艺

第三代半导体材料

第三代半导体材料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石为代表，是5G时代的主要材料，其中氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的市场和发展空间最大。
氮化镓作为第三代半导体材料，有更高的禁带宽度，是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系，下游应用包括微波射频器件(通信基站等)，电力电子器件(电源等)，光电器件(LED照明等)。不过，第三代半导体材料中，受技术与工艺水平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。
实际上，氮化镓（GaN）技术并不是一种新的半导体技术，自1990年起就已经常被用在发光二极管中，但成本昂贵。从制造工艺上来说，氮化镓没有液态，不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉出单晶，需要纯靠气体反应合成，而氮气性质非常稳定，镓又是非常稀有的金属（镓是伴生矿，没有形成集中的镓矿，主要从铝土矿中提炼，成本比较高），而且两者反应时间长，速度慢，反应产生的副产物多。生产氮化镓对设备要求又苛刻，技术复杂，产能极低，众多因素叠加影响导致氮化镓单晶材料很贵。

类别

有毒物品

毒性分级

低毒

急性毒性

口服-小鼠LDL0: 10000 毫克/公斤; 腹腔-小鼠LDL0: 5000 毫克/公斤

储运特性

库房通风低温干燥

灭火剂

干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水

氮化镓 上下游产品信息

上游原料

下游产品

氮化镓 试剂级价格

更新日期	产品编号	产品名称	CAS编号	包装	价格
2025/02/05	040218	氮化镓(III), 99.99% (metals basis) Gallium(III) nitride, 99.99% (metals basis)	25617-97-4	10g	3031元
2025/02/05	040218	氮化镓(III), 99.99% (metals basis) Gallium(III) nitride, 99.99% (metals basis)	25617-97-4	50g	13515元

氮化镓 生产厂家

 

25617-97-4, 氮化镓 相关搜索:

• Nitrides
• Metal and Ceramic Science
• Ceramics
• semi-conductor material
• 医用原料
• 金属催化剂
• 能源材料
• 氮化物粉体-氮化镓
• 科研产品或者金属材料
• 陶瓷
• 金属和陶瓷科学
• 1265-10-0
• 氮化镓粉末
• 氮化镓GAN,微黄色或灰色粉末
• 纳米氮化镓
• 氮化镓(III)
• 氮化镓
• 氮化镓(III), 99.99% (METALS BASIS)
• 一氮化镓
• 氮化镓, 99.99% (METALS BASIS)
• 25617-97-4
• Gallium(III) nitride, 99.99%
• GALLIUM(III) NITRIDE powder, 99.999% D50=7±1um
• GALLIUM NITRIDE ISO 9001：2015 REACH
• azanylidynegallane
• Gallium(III) nitride, 99.99% trace metals basis
• Gallium nitride 99.99% trace metals basis
• Gallium nitride/ 99.9%
• Gallium nitride/ 99.99%
• Nitrilogallium
• GALLIUM(III) NITRIDE
• GALLIUM NITRIDE
• Germanium selenide, 99.99% (metals basis)
• Gallium Nitride, -100 Mesh
• 99.99%(metalsbasis)
• GALLIUM NITRIDE POWDER
• Gallium(III) nitride, 99.99+% metals basis
• galliumnitride(gan)
• galliummononitride