钛酸铜钙
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- CAS号:
- 英文名:
- Copper calcium titanate
- 英文别名:
- 中文名:
- 钛酸铜钙
- 中文别名:
- 钛酸铜钙
- CBNumber:
- CB64848507
- 分子式:
- CaCuO6Ti2
- 分子量:
- 295.3544
- MOL File:
- Mol file
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钛酸铜钙性质、用途与生产工艺
钛酸铜钙材料在室温下介电常数可高达104,单晶甚至达到8×104,介电常数大于1000的大部分钙钛矿类化合物常会伴随有铁电和弛豫行为,因此介电常数会敏感于温度的变化,导致电子器件的稳定性降低,从而在实应用中有一定的局限性,如BaTiO3材料。而CaCu3Ti4O12是一种非铁电性的氧化物材料,其高的介电常数相对于频率和温度具有半独立特性,在100-400K温度范围内具有稳定性,并且不具有BaTiO3发生铁电相变时的四次轴和Z轴位移。
钛酸铜钙(简称: CCTO),钙钛矿立方晶系,具有的良好的综合性能,使其在高密度能量存储、薄膜器件(如MEMS、GB-DRAM)、高介电电容器等一系列高新技术领域中获得广泛的应用。
CCTO可用于电容器、电阻器、新能源电池行业。
CCTO可应用于动态随机存储记忆体,即DRAM。
CCTO可用于电子、新型电池、太阳能电池、新能源汽车电池行业等。
CCTO可用于高端航天电容、太阳板等。
钛酸铜钙-CaCu3Ti4O12化合物(简称CCTO)为钙钛矿立方晶系结构。最近文献报道了CaCu3Ti4O12具有反常的巨介电常数(ε≈104-105)和极低的损耗(tgδ≈0.03),特别是在很宽的温区范围内(100-400K)介电常数值几乎不变,反映了介电响应的高热稳定性。且不需要特殊的制造过程,烧结温度也不高,约为1000℃~1100℃上下,是一般介电材料难以达到的性质。这些良好的综合性能,使其有可能成为在高密度能量存储、薄膜器件(如MEMS、GB-DRAM)、高介电电容器等一系列高新技术领域中获得广泛的应用。可是该类材料最大的反常还在于冷却到100K以下介电常数发生急剧下降(ε≈100),X射线衍射(XRD)、拉曼散射和中子衍射分析表明即使冷却到35K也没有观察到任何长程结构上的相变。XRD分析表明该特性有悖于铁电性局域极矩合作有序化所作的解释。
钛酸铜钙的制备方法和制备工艺条件对粉体微观形貌、相组成有重要影响,而形貌和相组成对材料的性能有决定性作用。钛酸铜钙粉体的制备方法总体分干法和湿法两大类,主要包括固相法,溶胶-凝胶法,共沉淀法及水热合成法。钛酸铜钙粉末和陶瓷大部分采用传统固相反应法制备,一般采用氧化钙、氧化铜和二氧化钛为原料,通过球磨混合后煅烧得到钛酸铜钙陶瓷。固相反应法具有工艺简单、成本低的优点;但此制备方法因原料的不均匀性及粉体较低的活性,使合成温度升高,同时烧出的陶瓷在显微结构上不均匀,晶粒大小不均,且制备过程中的球磨混合和球磨细化会引入杂质相,由晶界层电容器理论可知杂质相的进入使其介电常数降低。
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