背景及概述[1]
三甲基硅烷((CH3)3SiH)近年来作为半导体领域中的层间绝缘膜、作为成膜原料，其用途逐渐扩大。
应用[1-3]
应用一、
CN201410418294.X公开了一种光引发剂双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦的制备方法，其合成步骤为在惰性气体的保护下，三氯化铝或四氯化锡和三甲基硅烷在0~100℃温度范围内反应得到二氯化铝离子，并迅速与反应体系中的苯基二氯化膦作用，得到双(二氯化铝或三氯化锡)膦盐中间体，接着该中间体和2,4,6-三甲基苯甲酰氯发生反应，得到双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基膦，在20~50℃温度条件下再经二氧化氮氧化，得到目标产物。该方法避免了使用危险的活泼金属钾或钠，采用价格相对低廉的三氯化铝或四氯化锡和三甲基硅烷现场生成活性中间体来实现这一反应。该方法具有制备成本低，操作过程简单、安全，反应过程易于控制，产品收率高，纯度好，易于实现大规模生产等特点。
应用二、
CN201010285729.X提供一种SiCN扩散阻挡层制备工艺，采用等离子体辅助化学气相沉积方法，反应气体为三甲基硅烷、氨气和硅烷沉积形成所述SiCN扩散阻挡层。本发明的SiCN扩散阻挡层制备工艺通过在反应气体中增加硅烷气体使得三甲基硅烷和氨气在反应室内分布的更加均匀，从而使得反应生成的SiCN扩散阻挡层中各个部位的组分分布都更加均匀。
应用三、
CN201910815675.4报道了一种纳米疏水剂，包括如下成分：10%-25%二甲基二乙氧基硅烷、5-20%三甲基硅烷、1-10%羟基硅油、1-5%KH550氨基官能团硅烷、20-55%的乙醇溶液，该涂层增大了与水的接触角，从而显著提高了排水效果，只需少量的水来清洗，同时减小了水的滑动角，使玻璃表面更容易擦洗，祛除了有害清洁剂的使用。
参考文献
[1] CN201410418294.X一种光引发剂双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦的制备方法
[2] CN201010285729.X一种SiCN扩散阻挡层制备工艺
[3] CN201910815675.4一种纳米疏水剂及其制备方法