对于栅介质层,由于其厚度一般在10nm以下,ALD技术成为制备栅介质层的首选,已经用于Intel 45nm节点的MOS管的制备过程中。相较于CVD、PVD,ALD可以原子级厚度水平控制膜层的沉积,存储介质可通过ALD或CVD技术制成,而ALD具有优越的阶梯覆盖能力,在高深宽比的DRAM中其应用将不断增加。
本公司提供和开发CVD/ALD所需的前驱体源,包括可用于沉积高k栅介质层HfO₂、用于存储介质层的ZrO₂、TiO₂、Ta₂O₅等材料的前驱体。以下为本公司在售的部分前驱体材料:
苏州龙扬生化科技有限公司
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