SiC晶须
中文名称 | SiC晶须 |
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中文同义词 | 碳化硅/纳米碳化硅;碳化硅结晶块;碳化硅溅射靶,50.8MM(2.0IN)DIAX6.35MM(0.250IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);碳化硅溅射靶,76.2MM(3.0IN)DIAX6.35MM(0.250IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);碳化硅溅射靶,76.2MM(3.0IN)DIAX3.18MM(0.125IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);金刚砂,耐火砂;碳化硅, 600 GRINDING COMPOUND, 2OZ (57G);碳化硅, 400 GRINDING COMPOUND, 2OZ (57G) |
英文名称 | Silicon carbide |
英文同义词 | SILICONCARBIDEFIBRE;GRANULARSILICONCARBIDE;SILICONCARBIDEPLATELETS;SILICONCARBIDEWHISKER;SILICIUMCARBIDE;SIC UF-25 SILICON CARBIDE GRADE UF-25 - A PRODUCT OF H.C. STARCK;SIC UF-15 PREMIX COARSE SILICON CARBIDE GRADE UF-15 PREMIX COARSE - A PRODUCT OF H.C. STARCK;SIC BF-12 SILICON CARBIDE GRADE BF-12 - A PRODUCT OF H.C. STARCK |
CAS号 | 409-21-2 |
分子式 | CSi |
分子量 | 40.1 |
EINECS号 | 206-991-8 |
相关类别 | 镀膜材料;催化和无机化学;碳化物;硅;通用试剂;硅烷试剂;有机硅氧聚合物;Cn硅化合物及硅酸盐;无机化工产品;无机盐;其他无机化合物;Cw无机功能材料;硅化合物;无机化合物和盐;有机硅;Inorganics;Carbides;Ceramics;Metal and Ceramic Science;CarbidesMaterials Science;14: Si;Nanomaterials;Nanoparticles: Oxides, Nitrides, and Other CeramicsNanomaterials;Nanopowders and Nanoparticle Dispersions;metal borides and carbides;粉体;生化试剂-其他化学试剂;碳材料及碳化物粉体-碳化硅;碳化物-碳化硅;化工材料;无机化工原料;金属粉末;精细化工原料;化工原料 |
Mol文件 | 409-21-2.mol |
结构式 | ![]() |
SiC晶须 性质
熔点 | 2700 °C (lit.) |
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密度 | 3.22 g/mL at 25 °C (lit.) |
折射率 | 2.6500 |
溶解度 | 溶于熔融的氢氧化钠、氢氧化钾和铁水。 |
形态 | 纳米粉体 |
颜色 | 绿色 |
比重 | 3.22 |
电阻率 (resistivity) | 107–200 (ρ/μΩ.cm) |
水溶解性 | Soluble in molten alkalis (NaOH, KOH) and molten iron. Insoluble in water. |
晶体结构 | Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m |
水解敏感性 | 1: no significant reaction with aqueous systems |
Merck | 14,8492 |
暴露限值 | ACGIH: TWA 10 mg/m3; TWA 3 mg/m3; TWA 0.1 fiber/cm3 OSHA: TWA 15 mg/m3; TWA 5 mg/m3 NIOSH: TWA 10 mg/m3; TWA 5 mg/m3 |
稳定性 | 稳定 |
InChIKey | HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N |
(IARC)致癌物分类 | 2A (Vol. 111) 2017 |
NIST化学物质信息 | Silicon monocarbide(409-21-2) |
EPA化学物质信息 | Silicon carbide (409-21-2) |
SiC 晶须(SiCw)是一种直径为纳米级至微米级的具有高度取向性的单晶纤维,晶体结构与金刚石相类似,晶体内化学杂质少,无晶粒边界,晶体结构缺陷少,结晶相成分均一。其具有高熔点、低密度、高强度、高弹性模量、低热膨胀率以及耐磨、耐腐蚀、抗高温氧化能力强等特性。主要用于需要高温高强应用材质的增韧场合。
SiC晶须已广泛用于增韧金属基、陶瓷基和聚合物基复合材料。
(1)SiCw增韧金属基复合材料具有轻质、高强度、耐热、低的热膨胀系数、脱气性好等优点,广泛应用于航空航天和军事领域,如飞机蒙皮、翼面、垂尾、导弹、超轻空间望远镜等;还可用于汽车、机械等部件及体育运动器材等。
(2)SiCw增韧陶瓷基复合材料主要有Al2O3、ZrO2、莫来石陶瓷等,随着复合技术的不断成熟,又出现了SiCw增韧Si3N4、ZrB2以及玻璃陶瓷等复合材料。适用于制造各种用途的碳化硅磨具和陶瓷窑具以及耐火材料等。
(3)SiCw增韧聚合物复合材料:SiCw作为聚合物材料的增韧补强剂时既不增加熔体粘度,又能显著提高材料的韧性和延伸率,可用于制备形状复杂、精度高、表面光洁度高的零部件。
SiC晶须可以通过以下几个途径合成:
(1)化学气相沉积法:合成SiCw的气相反应法中化学气相沉积法是使用最为广泛的,而且用这个方法制备出的SiC纯度非常得高。此法是通过H,等载气把反应物带入反应室中的,然后在过渡金属的催化作用下,在石墨、单晶硅、碳化硅基体上生成SiCw。
(2)CVD法:以有机硅化物为原料,如以Si(CH)CICH SiCl,等为反应物,加热至1100-1500℃使之发生热分解或者用氢还原反应物来制备SiCw。
(3)电弧放电法:以含催化剂(铁)的碳化硅棒为阳极,以石墨为阴极,在低气压下发生电弧放电反应合成SiCw。用这种方法生成的SiCw,直径一般在20-60nm之间,表面很光滑,而且在SiCw的顶端还有Fe纳米粒子的存在。此法所用到的原料都很常见而且设备简单、成本也不高,有大批量生产SiCw的潜力。
安全信息
危险品标志 | Xi |
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危险类别码 | 36/37/38 |
安全说明 | 26-36 |
职业暴露等级 | B |
职业暴露限值 | TWA: 10 mg/m3 (total) |
WGK Germany | 3 |
RTECS号 | VW0450000 |
TSCA | Yes |
海关编码 | 28492000 |
毒害物质数据 | 409-21-2(Hazardous Substances Data) |
提供商 | 语言 |
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