碳化硅新闻专题
![碳化硅和氮化镓有何区别](/NewsImg/2024-02-02/6384246448286419136997543.jpg)
碳化硅和氮化镓有何区别
碳化硅(SiC)结合了硅(原子序数14)和碳(原子序数6),形成类似于金刚石的强共价键,是一种坚固的六方结构化合物,具有宽禁带半导体特性。
2024/2/2 9:55:47
阅读量:311
![碳化硅(SiC)知识大全](/NewsImg/2023-05-22/6382034331268405082246082.jpg)
碳化硅(SiC)知识大全
碳化硅(SiC)是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片,制作芯片的核心材料按照历史进程分为:第一代半导体材料(大部分为目前广泛使用的高纯度硅),第二代化合物半导体材料(砷化镓、磷化铟),第三代化合物半导体材料(碳化硅、氮化镓) 。
2023/5/22 9:09:28
阅读量:1748
![碳化硅的晶体结构与特性](/NewsImg/2023-04-25/6381801015446453982928335.jpg)
碳化硅的晶体结构与特性
碳化硅(SiC)是一种合成的半导体精细陶瓷,在广泛的工业市场中都有出色表现。 由于可获得高密度和开放式多孔结构,制造商可从折衷的碳化硅牌号中受益。 碳化硅结合了材料出色的高温强度和耐热冲击性,以及固有的令人印象深刻的机械性能,是全球用途最广泛的耐火陶瓷之一。
2023/4/25 9:01:48
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![碳化硅火泥泥浆对其原料性能要求的差别](/NewsImg/2022-08-25/6379702111599059068572719.jpg)
碳化硅火泥泥浆对其原料性能要求的差别
碳化硅火泥用于高炉碳化硅镶砖、干熄焦牛腿砖、铝电解槽碳化硅砖以及陶瓷窑碳化硅的砌筑或粘接。目前,碳化硅泥浆主要以碳化硅颗粒和细粉为主要原料,以液体酚醛树脂为结合剂,具有养护强度高、砌体结构稳定性和气密性好、理化性能稳定的优点。
2022/8/25 10:46:19
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![碳化硅耐火材料的研究进展](/NewsImg/2022-08-22/6379676206224062861021154.jpg)
碳化硅耐火材料的研究进展
碳化硅耐火材料的研究目前集中于两个方面,一方面是碳化硅原料的制备,另一方面是碳化硅耐火材料的制备和性能优化。 在碳化硅材料的制备方面,碳热还原法是目前比较常用的方式,碳热还原法是在一定温度下,一种以无机碳作为还原剂所进行的氧化还原反应的方法。现阶段,工业化生产碳化硅粉体的主要方法为碳热还原法。M.KevorkijanV等的研究表明以胶体SiO2为硅源使用时,碳热还原法合成的碳化硅微粉的比表面积随着温度升高而减小。
2022/8/22 10:47:48
阅读量:490
![碳化硅作为导热材料在橡胶中的应用](/NewsImg/2022-03-30/6378423108479319832541213.jpg)
碳化硅作为导热材料在橡胶中的应用
研究碳化硅(活化处理后制为碳化硅预分散母炼胶)作为导热材料在天然橡胶(NR)、丁腈橡胶 (NBR)和三元乙丙橡胶(EPDM)中的应用。结果表明:加入碳化硅对NR,NBR和EPDM胶料的硫化特性和物理性能影响不大,可以提高NR,NBR和EPDM胶料的热导率;碳化硅用量越大,NR,NBR和EPDM胶料的热导率越大,碳化硅的适宜用量为20份;加入碳化硅可以延长橡胶制品的使用寿命。
2022/3/30 10:04:44
阅读量:1798
![碳化硅材料的主要应用!](/NewsImg/2022-02-28/6378164352679892122015158.jpg)
碳化硅材料的主要应用!
碳化硅在精密设备和精密加工中具有十分重要的地位,与传统金属材料相比,其耐高温、耐磨损、重量轻、硬度高、耐腐蚀、热膨胀系数小等优点,目前已广泛应用于各类精密轴承或精密球等零部件中。
2022/2/28 11:11:14
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得碳化硅者得天下
碳化硅市场规模10年复合增速超50%,这家6英寸碳化硅衬底厂商已进入产业化放量阶段 ①碳化硅市场规模10年复合增速超50%,这家公司致力打造国内最早规模化供应6英寸碳化硅衬底的厂商,目前已进入产业化放量阶段; 2. 这家传统建材公司战略转型“新能源材料+低碳环保”产业,加速海外锂资源产业链投资并购布局,旗下锂盐项目力争年内实现产品下线。
2022/2/28 11:01:47
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![碳化硅时代来临,各大供应商怎么看](/NewsImg/2022-02-07/6377982724147272659363022.jpg)
碳化硅时代来临,各大供应商怎么看
碳化硅在许多汽车应用中有着广阔的前景,尤其是电动汽车。与硅相比,它可以延长每次充电的行驶里程,减少电池充电时间,可以通过更低的电池容量和更轻的重量提供相同的续航里程,为整体效率做出贡献。现在的挑战是降低制造这些器件的成本,这就是 SiC 晶圆厂从 6 英寸(150 毫米)晶圆迁移到 8 英寸(200 毫米)晶圆的原因。
2022/2/7 10:40:22
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![独领风骚,无与伦比的碳化硅(SiC),它为何这么香?](/NewsImg/2022-01-11/6377749333862461023615264.jpg)
独领风骚,无与伦比的碳化硅(SiC),它为何这么香?
碳化硅(SiC)半导体材料是自第一代元素半导体材料(Si、Ge)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后崛起的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、载流子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,凭借其耐高温、耐高压、高频的特性在功率器件领域得到了广泛的应用。
2022/1/11 10:22:24
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![碳化硅理化性能及应用速览](/NewsImg/2021-10-21/6377041877444127501214121.jpg)
碳化硅理化性能及应用速览
碳化硅材料由于其较高的弹性模量、适中的密度、较小的热膨胀系数、较高的导热系数、耐热冲击性、高的比刚度、高度的尺寸稳定性及热性能与机械性能的各向同性等一系列优良的物理性质,受到越来越多的重视,普遍用于陶瓷球轴承、阀门、半导体材料、陀螺、测量仪、航空航天等领域,已经成为一种在很多工业领域不可替代的材料。
2021/10/21 13:12:01
阅读量:3428
![碳化硅和氮化镓的区别在哪?](/NewsImg/2021-05-17/6375686504928530191230879.jpg)
碳化硅和氮化镓的区别在哪?
SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG),因为将这些材料的电子从价带扩散到导带需要能量: 其中硅(Silicon)所需能量为1.1eV,氮化硅(SiC)则需3.3eV,氮化镓(GaN)则需3.4eV. 这就带来了更高的击穿电压,在某些应用中可高到1200-1700V。
2021/5/17 16:17:25
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![2021年碳化硅行业研究报告](/NewsImg/2021-04-12/6375382220385539938644531.jpg)
2021年碳化硅行业研究报告
碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。受技术与工艺水平限制, 氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战,其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或半 绝缘碳化硅晶片为衬底,通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件,主要应用于宏基站通 信射频领域;而碳化硅材料则主要以在导电型碳化硅衬底上外延生长碳化硅外延层,应 用在各类功率器件上,近年来随着技术工艺的成熟、制备成本的下降,在新能源领域的 应用持续渗透。碳化硅材料将是未来新能源、5G 通信领域中碳化硅、氮化镓器件的重 要基础。
2021/4/12 10:58:59
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![碳化硅产业链分解](/NewsImg/2021-02-25/6374986787486263502301282.jpg)
碳化硅产业链分解
半导体产业的基石是芯片,制作芯片的核心材料按照历史进程分为:第一代半导体材料(大部分为目前广泛使用的高纯度硅),第二代化合物半导体材料(砷化镓、磷化铟),第三代化合物半导体材料以碳化硅和氮化镓为代表。
2021/2/25 16:35:53
阅读量:816
![碳化硅(SiC) 迎来爆发!盘点今年1月份国外SiC的最新进展及技术](/NewsImg/2021-02-25/6374986117888664719625479.jpg)
碳化硅(SiC) 迎来爆发!盘点今年1月份国外SiC的最新进展及技术
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等新型半导体材料提供了更高的速度、效率和工作条件,已被证明在高压应用中非常有用。这些应用包括电力电子、电动汽车等。
2021/2/25 14:42:54
阅读量:473
![“晶须之王”碳化硅及其增韧复合材料](/NewsImg/2021-02-10/6374854655977356425967457.jpg)
“晶须之王”碳化硅及其增韧复合材料
SiCw素有“晶须之王”的美誉,具有高强度、高弹性模量等优点,碳化硅晶须的加入使复合材料的断裂韧性、抗弯强度等性能有明显的改善。作为一种优良的补强增韧剂,SiCw增韧的金属基、陶瓷基及聚合物基复合材料已广泛运用到机械、化工、国防、能源、环保等领域。
2021/2/10 9:32:27
阅读量:2705
![碳化硅和氮化镓的区别在哪?](https://img.chemicalbook.com/NewsImg/2020-11-06/202011613365631640.jpg)
碳化硅和氮化镓的区别在哪?
SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG),因为将这些材料的电子从价带扩散到导带需要能量: 其中硅(Silicon)所需能量为1.1eV,氮化硅(SiC)则需3.3eV,氮化镓(GaN)则需3.4eV. 这就带来了更高的击穿电压,在某些应用中可高到1200-1700V。
2020/11/6 13:34:54
阅读量:1138
![碳化硅为什么是第三代半导体最重要的材料?](https://img.chemicalbook.com/NewsImg/2019-11-18/warter_2019111811263649498.png)
碳化硅为什么是第三代半导体最重要的材料?
碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如:以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍;用以制成的高级耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。低品级碳化硅(含SiC约85%)是极好的脱氧剂,用它可加快炼钢速度,并便于控制化学成分,提高钢的质量。此外,碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。
2020/10/26 11:49:10
阅读量:1365
![碳化硅,为何让人又爱又恨?](https://img.chemicalbook.com/NewsImg/2019-11-18/warter_20191118111118250239.png)
碳化硅,为何让人又爱又恨?
Yole在近日发布的《功率碳化硅(SiC):材料、器件及应用-2019版》报告中预计,到2024年,碳化硅功率半导体市场规模将增长至20亿美元,2018-2024年期间的复合年增长率将高达29%。其中,汽车市场无疑是最重要的驱动因素,其碳化硅功率半导体市场份额到2024年预计将达到50%。
2019/11/18 11:07:40
阅读量:345
![碳化硅材料研究现状与行业应用](https://img.chemicalbook.com/NewsImg/2019-9-20/warter_201992011224849295.jpg)
碳化硅材料研究现状与行业应用
目前,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料以更大的优势占领市场主导,统称第三代半导体材料。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度,更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及更高的抗辐射能力,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.2eV),亦称为高温半导体材料。
2019/9/20 11:20:26
阅读量:741
![碳化硅(SiC)缘何成为第三代半导体最重要的材料?](https://img.chemicalbook.com/NewsImg/2019-9-20/warter_2019920111452195461.png)
碳化硅(SiC)缘何成为第三代半导体最重要的材料?
碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如:以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍;用以制成的高级耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。低品级碳化硅(含SiC约85%)是极好的脱氧剂,用它可加快炼钢速度,并便于控制化学成分,提高钢的质量。此外,碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。
2019/9/20 11:11:19
阅读量:833
![碳化硅的工业应用](https://img.chemicalbook.com/NewsImg/2019-9-20/warter_201992011545352637.png)
碳化硅的工业应用
碳化硅是典型的多晶型化合物,按大类来分,有α-碳化硅和β-碳化硅两种。 α-碳化硅做为磨料有黑碳化硅、绿碳化硅两种品种。β-碳化硅是制备碳化硅类陶瓷的主要原料。碳化硅的用途十分广泛,如:冶金、机械、化工、建材、轻工、电子、发热体。磨料可作为冶金工业的净化剂、脱氧剂和改良剂。在机械加工方面可作为合成硬质合金刀具;加工后的硅碳板可作为耐火材料用于陶瓷烧制的棚板。
2019/9/20 11:04:40
阅读量:790
![碳化硅的回收与应用](https://img.chemicalbook.com/NewsImg/2018-11-27/20181127112936175601.png)
碳化硅的回收与应用
碳化硅又称金刚砂,纯品为无色粉状颗粒,工业品为青绿色。SiC结晶型态很多,已发现有200种晶型结构,其中主要有六角与菱形晶系(又称α-SiC)和立方晶系(又称β-SiC)。SiC为宽禁带半导体(禁带宽度>2.5eV),具有高导热率[可达5W/(cm·K)]、高硬度(仅次于金刚石)和高熔点等可贵特性,
2018/11/27 11:26:57
阅读量:925
GE公司在纽约州建立碳化硅封装中心
纽约州州长安德鲁·科莫已宣布,通用电气(GE)全球研发中心将作为纽约州立大学纳米科学与工程理工学院计算机芯片商业化中心(QUAD C)的主要租户。GE公司携手纽约州立大学,将建立美国首个基于GE公司碳化硅技术的功率电子制造中心。
2016/3/23 10:58:42
阅读量:287