高纯碳化硅
| 中文名称 | 高纯碳化硅 |
|---|---|
| 中文同义词 | 碳化硅/纳米碳化硅;碳化硅结晶块;碳化硅溅射靶,50.8MM(2.0IN)DIAX6.35MM(0.250IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);碳化硅溅射靶,76.2MM(3.0IN)DIAX6.35MM(0.250IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);碳化硅溅射靶,76.2MM(3.0IN)DIAX3.18MM(0.125IN)THICK,99.5%(METALSBASISEXCLUDINGB);金刚砂,耐火砂;碳化硅, 600 GRINDING COMPOUND, 2OZ (57G);碳化硅, 400 GRINDING COMPOUND, 2OZ (57G) |
| 英文名称 | Silicon carbide |
| 英文同义词 | SILICONCARBIDEFIBRE;GRANULARSILICONCARBIDE;SILICONCARBIDEPLATELETS;SILICONCARBIDEWHISKER;SILICIUMCARBIDE;SIC UF-25 SILICON CARBIDE GRADE UF-25 - A PRODUCT OF H.C. STARCK;SIC UF-15 PREMIX COARSE SILICON CARBIDE GRADE UF-15 PREMIX COARSE - A PRODUCT OF H.C. STARCK;SIC BF-12 SILICON CARBIDE GRADE BF-12 - A PRODUCT OF H.C. STARCK |
| CAS号 | 409-21-2 |
| 分子式 | CSi |
| 分子量 | 40.1 |
| EINECS号 | 206-991-8 |
| 相关类别 | 镀膜材料;催化和无机化学;碳化物;硅;通用试剂;硅烷试剂;有机硅氧聚合物;Cn硅化合物及硅酸盐;无机化工产品;无机盐;其他无机化合物;Cw无机功能材料;硅化合物;无机化合物和盐;有机硅;Inorganics;Carbides;Ceramics;Metal and Ceramic Science;CarbidesMaterials Science;14: Si;Nanomaterials;Nanoparticles: Oxides, Nitrides, and Other CeramicsNanomaterials;Nanopowders and Nanoparticle Dispersions;metal borides and carbides;粉体;生化试剂-其他化学试剂;碳材料及碳化物粉体-碳化硅;碳化物-碳化硅;化工材料;无机化工原料;金属粉末;精细化工原料;化工原料 |
| Mol文件 | 409-21-2.mol |
| 结构式 |  |
高纯碳化硅 性质
| 熔点 | 2700 °C (lit.) |
|---|---|
| 密度 | 3.22 g/mL at 25 °C (lit.) |
| 折射率 | 2.6500 |
| 溶解度 | 溶于熔融的氢氧化钠、氢氧化钾和铁水。 |
| 形态 | 纳米粉体 |
| 颜色 | 绿色 |
| 比重 | 3.22 |
| 电阻率 (resistivity) | 107–200 (ρ/μΩ.cm) |
| 水溶解性 | Soluble in molten alkalis (NaOH, KOH) and molten iron. Insoluble in water. |
| 晶体结构 | Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m |
| 水解敏感性 | 1: no significant reaction with aqueous systems |
| Merck | 14,8492 |
| 暴露限值 | ACGIH: TWA 10 mg/m3; TWA 3 mg/m3; TWA 0.1 fiber/cm3 OSHA: TWA 15 mg/m3; TWA 5 mg/m3 NIOSH: TWA 10 mg/m3; TWA 5 mg/m3 |
| 稳定性 | 稳定 |
| InChIKey | HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N |
| (IARC)致癌物分类 | 2A (Vol. 111) 2017 |
| NIST化学物质信息 | Silicon monocarbide(409-21-2) |
| EPA化学物质信息 | Silicon carbide (409-21-2) |
碳化硅作为第三代半导体的代表材料之一，适合于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成的电子器件。杂质含有率为500ppm以下的高纯碳化硅粉末，被广泛用作抛光或磨削材、陶瓷烧结体和导电性材料等工业用材料。
1.对高纯碳化硅粉体合成工艺的机理进行深入研究，特别是加强对粉体粒度、形状、粒径分布以及纯度等参数进行有效控制的基础理论研究。
2.进一步加强对改进自蔓延法合成碳化硅粉体的具体工艺的研究，以期在低成本和工序简单的基础上，制备出质量优良和纯度较高的适合于单晶碳化硅生长的高纯碳化硅粉体，从而有效提高碳化硅单晶衬底生长质量，推动我国碳化硅基器件产业的发展。
安全信息
| 危险品标志 | Xi |
|---|---|
| 危险类别码 | 36/37/38 |
| 安全说明 | 26-36 |
| 职业暴露等级 | B |
| 职业暴露限值 | TWA: 10 mg/m3 (total) |
| WGK Germany | 3 |
| RTECS号 | VW0450000 |
| TSCA | Yes |
| 海关编码 | 28492000 |
| 毒害物质数据 | 409-21-2(Hazardous Substances Data) |
| 提供商 | 语言 |
|---|---|
|
英文
|
|
|
英文
|
|
|
中文
|
|
|
英文
|