随着超大规模集成电路技术的不断发展，作为其基础器件的MOS晶体管尺寸不断缩小，当SiO2栅介质的厚度减小到纳米量级时，通过SiO2的漏电流随厚度减小成指数增长，这样巨大的漏电流不仅严重影响到器件性能，而且最终导致SiO2不能起到绝缘作用。使用高介电常数(即高K材料)替代SiO2是目前最有希望解决此问题的途径。近年来，人们一直致力于发展多种硅的前驱体源来改善SiO2的ALD工艺过程，从而能进行原子层厚度的控制，也可以避免使用含氯的前驱体。高K材料的使用使得在保持相同电容密度的同时栅介质可以有比较大的物理厚度，从而避免了在超薄SiO2栅介质中隧穿导致的漏电流问题。
目前新发展的硅前驱体多包含新的配体或者多个配体的组合，这些配体本身的大小、空间位阻以及键能具有一定的可调范围，从而可以调节硅前驱体的反应性，使得其具有较好的蒸汽压，这些配体包含胺基以及烃基等等。
相关的研究表明，三(二甲胺基)硅烷作为前驱体源不仅具有较好的稳定性、较高的蒸汽压，而且表现出了相当高的反应性，所以这种有机硅源成了目前ALD方法沉积SiO2研究的热点。
制备方法
目前报道的三(二甲胺基)硅烷常用合成方法有:
1、用三氯硅烷直接和二甲胺气体反应，但反应中需使用6倍当量的二甲胺气体，其中3倍当量的二甲胺用于吸收反应生成的酸性物质，造成原料二甲胺严重的浪费，而且反应中三氯硅烷上的氯不能完全彻底地被消除取代，产生大量的副产品，后处理复杂且产率很低；
2、在极低的温度条件下，用四(二甲胺基)钛和过量的硅烷在甲苯溶液中反应，反应温度条件苛刻，且原料四(二甲胺基)钛需预先制备获得，制备过程复杂，成本高，甲苯作溶剂污染大，有毒性；
3、在90° C条件下用三(二甲胺基)氯化硅和叔丁基锂在甲苯溶液中反应，同样地，反应原料三(二甲胺基)氯化硅需预先制备获得，制备过程复杂，成本高，同时这种合成方法产生大量的副产物三(二甲胺基)叔丁基硅，反应的产率低。
一种三（二甲胺基）硅烷的制备方法，包括如下步骤：在惰性气氛保护下，在反应器中加入二甲胺和烃类溶剂，然后向体系中加入有机锂化合物，制得二甲胺的锂盐；向体系中加入三氯硅烷；反应结束后进行蒸馏，得到所述三（二甲胺基）硅烷。
其与现有合成方法相比具有以下显著优点：反应以简单易得的原料，操作简单且降低了成本；使用简单的烃类作为溶剂大大降低了体系的毒性和污染；大大简化后处理操作，减少过多后处理过程中的损失；反应过程中的副产物相对较少，产率较高。