砷化铟新闻专题

砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。常温呈银灰色固体，具有闪锌矿型的晶体结构，晶格常数为0.6058nm，密度为5.66g/cm3(固态)、5.90g/cm3(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)0.45eV。InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有0.033MPa，可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LEC方法，单晶直径达φ50mm。